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Enhanced piezoelectricity of P(VDF-TrFE) by BN nanosheets doping and leading to high performance laminated magnetoelectric composites

材料科学 复合材料 压电 兴奋剂 压电系数 铁电性 氮化硼 相(物质) 纳米发生器 电介质 光电子学 有机化学 化学
作者
Hongrui Song,Huanbin Liu,Jing Qiu,ShunYu Zhang,Mingyu Li,Libo Liu
出处
期刊:Ceramics International [Elsevier BV]
卷期号:50 (23): 51972-51978 被引量:7
标识
DOI:10.1016/j.ceramint.2024.03.067
摘要

With the development trend of miniaturization, lightweight and portability of electronic equipment, piezoelectric devices have been widely applied to transducers, sensors and energy harvesters. Piezoelectric polymers, like poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)), possess the advantages of light weight, good flexibility, and simple preparation methods. However, P(VDF-TrFE) films is not entirely composed of piezoelectric phase (β phase), so increasing the content of β-phase is very important for the piezoelectric property of P(VDF-TrFE) films. Doping nanomaterials with unique properties has been proved to be a feasible way to increase the content of β-phase. In this paper, hexagonal boron nitride (h-BN) nanosheets, a kind of 2-dimensional van der Waals materials with wide bandgap, as filler were doping into poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)) piezoelectric films by solution casting method. The composite films as designed, in which h-BN nanosheets were uniformly dispersed in P(VDF-TrFE), achieved higher contents of piezoelectric phase (β phase). Compared with pure P(VDF-TrFE) films, the optimal P(VDF-TrFE)/BN piezoelectric film achieved a much higher piezoelectric coefficient (d33) (∼42 pC/N), also leading to a higher piezoelectric voltage output than that of pure P(VDF-TrFE). By laminating the P(VDF-TrFE)/BN films as designed with FeSiB Metglas, high magnetoelectric voltage coefficients under zero and low DC magnetic bias were achieved. In summary, this paper presents a feasible and potential method for improving PVDF piezoelectricity, which has been successfully applied in high performance magnetoelectric devices.
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