Normally-Off p-Gate Transistor Based on AlGaN/GaN Heterostructures

异质结 光电子学 晶体管 材料科学 物理 电压 量子力学
作者
В. И. Егоркин,В. А. Беспалов,А. А. Зайцев,V. E. Zemlyakov,В. В. Капаев,O. B. Kukhtyaeva
出处
期刊:Semiconductors [Pleiades Publishing]
卷期号:55 (13): 1039-1044
标识
DOI:10.1134/s1063782621130042

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