Current fluctuations and domain depinning in quasi-two-dimensional charge-density-wave 1T-TaS2 thin films

电荷密度波 凝聚态物理 电场 范德瓦尔斯力 电流密度 电荷密度 电荷(物理) 物理 密度波理论 相(物质) 领域(数学) 材料科学 量子力学 超导电性 数学 分子 纯数学
作者
Jonas Brown,Maedeh Taheri,Fariborz Kargar,Ruben Salgado,Tekwam Geremew,Sergey Rumyantsev,Roger K. Lake,Alexander A. Balandin
出处
期刊:Applied physics reviews [American Institute of Physics]
卷期号:10 (4) 被引量:7
标识
DOI:10.1063/5.0165281
摘要

We investigated the temperature dependence of the current fluctuations in thin films of the quasi-two-dimensional 1T-TaS2 van der Waals material. The current fluctuations, determined from the derivative current–voltage characteristics of two-terminal 1T-TaS2 devices, appear prominently at the electric fields that correspond to the transitions between various charge-density-wave macroscopic quantum condensate phases and at the onset of the depinning of the charge density wave domains. The depinning threshold field, ED, monotonically increases with decreasing temperature within the nearly commensurate charge-density-wave phase. The ED value increases with the decreasing 1T-TaS2 film thickness, revealing the surface pinning of the charge density waves. Our analysis suggests that the domain depinning is pronounced in the nearly commensurate phase. It is induced by the electric field but facilitated by local heating. The measured trends for ED of the domain depinning are important for understanding the physics of charge density waves in quasi-two-dimensional crystals and for developing electronic devices based on this type of quantum materials.

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