Alkali element (Li, Na, K, and Rb) doping of Cu2BaGe1−xSnxSe4 films

碱金属兴奋剂掺杂剂材料科学分析化学（期刊）结晶学无机化学化学光电子学有机化学色谱法

作者

Yongshin Kim,Hannes Hempel,Steven P. Harvey,Nelson Rivera,Thomas Unold,David B. Mitzi

出处

期刊：Journal of materials chemistry. A, Materials for energy and sustainability [Royal Society of Chemistry]
日期：2023-01-01 卷期号：11 (28): 15336-15346 被引量：1

链接

osti.gov osti.govdoi.org

标识

DOI：10.1039/d3ta01494k

摘要

Alkali elements (Li, Na, K, and Rb) were used as prospective p-type dopants for Cu 2 BaGe 1− x Sn x Se 4 films to address the low hole carrier density, and associated changes in film properties were investigated.

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