表面改性
异质结
带隙
材料科学
半导体
纳米技术
光电子学
化学
物理化学
作者
Yuxiang Bu,Mengtao Sun
摘要
Surface functionalization: After H functionalization, the metallic WS 2 /Sc 2 C heterostructure becomes an indirect semiconductor with a 0.49 eV bandgap; F functionalization leads to a 0.29 eV indirect bandgap.
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