Anisotropic Thermal Conductive Composite by the Guided Assembly of Boron Nitride Nanosheets for Flexible and Stretchable Electronics

材料科学 氮化硼 复合材料 复合数 柔性电子器件 热导率 导电体 各向异性 数码产品 纳米技术 光电子学 光学 电气工程 物理 工程类
作者
Haeleen Hong,Yei Hwan Jung,Ju Seung Lee,Chanho Jeong,Jong Uk Kim,Sori Lee,Hyewon Ryu,Heyn Kim,Zhenqiang Ma,Tae‐il Kim
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:29 (37) 被引量:201
标识
DOI:10.1002/adfm.201902575
摘要

Abstract Owing to the growing demand for highly integrated electronics, anisotropic heat dissipation of thermal management material is a challenging and promising technique. Moreover, to satisfy the needs for advancing flexible and stretchable electronic devices, maintaining high thermal conductivity during the deformation of electronic materials is at issue. Presented here is an effective assembly technique to realize a continuous array of boron nitride (BN) nanosheets on tetrahedral structures, creating 3D thermal paths for anisotropic dissipation integrated with deformable electronics. The tetrahedral structures, with a fancy wavy shaped cross‐section, guarantee flexibility and stretchability, without the degradation of thermal conductivity during the deformation of the composite film. The structured BN layer in the composites induces a high thermal conductivity of 1.15 W m −1 K −1 in the through‐plane and 11.05 W m −1 K −1 in the in‐plane direction at the low BN fraction of 16 wt%, which represent 145% and 83% increases over the randomly mixing method, respectively. Furthermore, this structured BN composite maintains thermal dissipation property with 50% strain of the original length of composite. Various electronic device demonstrations provide exceptional heat dissipation capabilities, including thin film silicon transistor and light‐emitting diode on flexible and stretchable composite, respectively.
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