Effect of GaAs insertion layer on the properties improvement of InGaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown by metal-organic chemical vapor deposition

光电子学铟材料科学量子阱化学气相沉积砷化镓图层（电子）金属有机气相外延异质结二极管半导体表面粗糙度砷化铟镓激光器外延纳米技术光学复合材料物理

作者

Bin Zhang,Haizhu Wang,Xu Wang,Quhui Wang,Jie Fan,Yonggang Zou,Xiaohui Ma

出处

期刊：Journal of Alloys and Compounds [Elsevier BV]
日期：2021-03-19 卷期号：872: 159470-159470 被引量：20

标识

DOI：10.1016/j.jallcom.2021.159470

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