材料科学
GSM演进的增强数据速率
凝聚态物理
费米能级
场效应晶体管
类型(生物学)
领域(数学)
晶体管
物理
量子力学
电子
电压
数学
生物
电信
计算机科学
纯数学
生态学
作者
Tien Dat Ngo,Min Sup Choi,Myeong‐jin Lee,Fida Ali,Won Jong Yoo
摘要
Strong Fermi-level pinning is observed in WSe 2 devices with edge contacts due to the presence of an oxide layer at the etched interface.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI