Suppression of Degradation in SiC Power Devices by Defect Engineering Using High-energy Ion Implantation

降级(电信) 材料科学 离子注入 工程物理 功率(物理) 离子 功率半导体器件 可靠性工程 核工程 电气工程 光电子学 电子工程 工程类 化学 物理 电压 热力学 有机化学
作者
Shunta Harada,Hitoshi Sakane,Masashi Kato
出处
期刊:Materia [The Japan Institute of Metals]
卷期号:64 (7): 455-460
标识
DOI:10.2320/materia.64.455

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