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作者
Yi Ren,Liang Hu,Jingyu Mao,Jun Yuan,Y. J. Zeng,Shuangchen Ruan,Jia‐Qin Yang,Li Zhou,Ye Zhou,Su‐Ting Han
摘要
A memristor and artificial synapse based on a ZnO–phosphorene nano-heterojunction are demonstrated. The continuous internal resistance states and multi-wavelength response of the memristor are applied to emulate the functions of the artificial synapse including PPF, SRDP, STDP and STP to LTP transition.
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