Analysis of the Output Characteristics of IGZO TFT with Double Gate Structure

材料科学 薄膜晶体管 双闸门 光电子学 氧化物薄膜晶体管 晶体管 电气工程 纳米技术 MOSFET 电压 图层(电子) 工程类
作者
Ji Won Kim,KeeChan Park,Yongsang Kim,Jae‐Hong Jeon
出处
期刊:Journal of KIEEME [The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers]
卷期号:33 (4): 281-285 被引量:1
标识
DOI:10.4313/jkem.2020.33.4.281
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