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作者
Gyeongpyo Kim,Doheon Yoo,Hyojin So,Seoyoung Park,Sungjoon Kim,Min‐Jae Choi,Sungjun Kim
摘要
QD-based RRAM is proposed for neuromorphic systems. A HfO 2 layer enhances the resistive switching and UV light reduces the switching voltage. MLC with 4 bits achieved can improve ANN performance.
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