Comparisons between intrinsic bonding defects in d0 transition metal oxide such as HfO2, and impurity atom defects in d0 complex oxides such as GdScO3

空位缺陷 Atom(片上系统) 离子键合 材料科学 价(化学) 原子物理学 结晶学 氧化物 化学 离子 物理 冶金 有机化学 计算机科学 嵌入式系统
作者
G. Lucovsky,Kwun‐Bum Chung,Leonardi Miotti,Karen Pas Bastos,Carolina Amado,Darrell G. Schlom
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:53 (12): 1273-1279 被引量:17
标识
DOI:10.1016/j.sse.2009.10.012
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