Electronic Transport and Interaction of Lattice Dynamics in Topological Nodalline Semimetal HfAs2 Single Crystals

材料科学 凝聚态物理 半金属 格子(音乐) 拓扑(电路) 物理 光电子学 带隙 电气工程 声学 工程类
作者
Zahir Muhammad,Ghulam Hussain,Rajbul Islam,Natalia Zawadzka,Md. Shafayat Hossain,Obaid Iqbal,A. Babiński,Maciej R. Molas,Fei Xue,Yue Zhang,M. Zahid Hasan,Wang Kang
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
标识
DOI:10.1002/adfm.202316775
摘要

Abstract Topological semimetals represent a novel class of quantum materials displaying non‐trivial topological states that host Dirac/Weyl fermions. The intersection of Dirac/Weyl points gives rise to essential properties in a wide range of innovative transport phenomena, including extreme magnetoresistance, high mobilities, weak antilocalization, electron hydrodynamics, and various electro‐optical phenomena. In this study, the electronic, transport, phonon scattering, and interrelationships are explored in single crystals of the topological semimetal HfAs 2 . It reveals a weak antilocalization effect at low temperatures with high carrier density, which is attributed to perfectly compensated topological bulk and surface states. The angle‐resolved photoemission spectroscopy (ARPES) results show anisotropic Fermi surfaces and surface states indicative of the topological semimetal, further confirmed by first‐principle density functional theory (DFT) calculations. Moreover, the lattice dynamics in HfAs 2 are investigated both with the Raman scattering and density functional theory. The phonon dispersion, density of states, lattice thermal conductivity, and the phonon lifetimes are computed to support the experimental findings. The softening of phonons, the broadening of Raman modes, and the reduction of phonon lifetimes with temperature suggest the enhancement of phonon anharmonicity in this new topological material, which is crucial for boosting the thermoelectric performance of topological semimetals.
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