Preferential sputtering of metal oxide mixture thin films

溅射 材料科学 X射线光电子能谱 薄膜 氧化物 分析化学(期刊) 金属 化学工程 纳米技术 化学 冶金 色谱法 工程类
作者
Mathias Mende,Florian Carstens,Henrik Ehlers,Detlev Ristau
出处
期刊:Journal of vacuum science & technology [American Institute of Physics]
卷期号:39 (2) 被引量:3
标识
DOI:10.1116/6.0000799
摘要

Metal oxide mixture materials enable the production of dielectric multilayer coatings for highest power laser applications. During thin film deposition, when using sputtering techniques in combination with composite target materials, preferential sputtering occurs on the target surface. The quantitative analysis of the mixture thin film composition, usually performed by ion beam based depth profiling methods, is also affected by preferential sputtering. To gain a deeper understanding, the atomic composition variation of sputtered mixture material surfaces is calculated applying the Monte Carlo simulation program tridyn. The simulation results are compared to the atomic composition gradient measured via depth profiling x-ray photoelectron spectroscopy for mixture thin films composed of HfO2, Sc2O3, Al2O3, and SiO2. The deviations between the experimental and simulated data are discussed with respect to the different mixture material combinations.
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