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作者
M. Javaid,Patrick D. Taylor,Sherif Abdulkader Tawfik,Michelle J. S. Spencer
出处
期刊：Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期：2021-11-24
卷期号：14 (11): 4114-4122
被引量：23
摘要
Our work presents a tuneable and switchable Schottky barrier without the need to apply any external electric field or strain, which promotes the controllability of carrier transport in high-density memory devices.
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