III–V Nanocrystals Capped with Molecular Metal Chalcogenide Ligands: High Electron Mobility and Ambipolar Photoresponse

硫系化合物 双极扩散 化学 纳米晶 离子 金属 电子 电子迁移率 光电导性 结晶学 纳米技术 光化学 光电子学 材料科学 有机化学 物理 量子力学
作者
Wenyong Liu,Jong‐Soo Lee,Dmitri V. Talapin
出处
期刊:Journal of the American Chemical Society [American Chemical Society]
卷期号:135 (4): 1349-1357 被引量:175
标识
DOI:10.1021/ja308200f
摘要

In this work, we synthesized InP and InAs nanocrystals (NCs) capped with different inorganic ligands, including various molecular metal chalcogenide complexes (MCCs) and chalcogenide ions. We found that MCCs and chalcogenide ions can quantitatively displace organic ligands from the surface of III–V NCs and serve as the inorganic capping groups for III–V NC surfaces. These inorganic ligands stabilize colloidal solutions of InP and InAs NCs in polar solvents and greatly facilitate charge transport between individual NCs. Charge transport studies revealed high electron mobility in the films of MCC-capped InP and InAs NCs. For example, we found that bridging InAs NCs with Cu7S4– MCC ligands can lead to very high electron mobility exceeding 15 cm2/(V s). In addition, we observed unprecedented ambipolar (positive/negative) photoresponse of MCC-capped InAs NC solids that changed sign depending on the ligand chemistry, illumination wavelength, and doping of the NC solid. For example, the sign of photoconductance of InAs NCs capped with Cu7S4– or Sn2S64– ions converted from positive at 0.80 and 0.95 eV to negative at 1.27 and 1.91 eV. We propose an explanation of this unusually complex photoconductivity of InAs NC solids.
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