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Fundamental characteristics of electrostatic wafer chuck with insulating sealant

薄脆饼 材料科学 静电放电 电介质 光电子学 电压 电极 复合材料 静电学 晶片键合 图层(电子) 电气工程 工程类 化学 物理化学
作者
K. Yatsuzuka,F. Hatakeyama,K. Asano,S. Aonuma
出处
期刊:IEEE Transactions on Industry Applications [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:36 (2): 510-516 被引量:59
标识
DOI:10.1109/28.833768
摘要

The electrostatic wafer chuck is the most preferable handling method in advanced semiconductor manufacture. Even in a vacuum environment, it enables not only the ability to retain a wafer flat, but also to enhance heat transfer through the whole surface area because of firm contact. We have investigated the fundamental characteristics of an electrostatic chuck consisting of a pair of comb-type electrodes and a thin polymer film as a dielectric layer. In order to prevent breakdown between electrodes, the air gap between electrodes was filled with sealing material. The electrostatic force acting on the 4-inch silicon wafer is measured. Several types of insulating sealants and dielectric films were examined. The attractive force increased with the square of the applied voltage in the region of lower applied voltage and gradually saturated at higher voltage. The maximum force obtained in our experiments was approximately 30 N. These experimental results proved the high potentiality in actual use of the electrostatic chuck for silicon wafer handling. However, a few problems have to be overcome. Although the higher electrostatic force can be gained with the thinner dielectric layer, the thin polymer film is easily deformed and torn by tension when the object starts moving.
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