范德瓦尔斯力
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电压
作者
Zhigang Xiao,Binghuan Zeng,Fang Xu,Guang‐jian Liu,Hua Zhou,Jiaqi Chen,Linfeng Fei,Xiaxia Liao,Jiaren Yuan,Yangbo Zhou
出处
期刊:Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期:2024-12-26
卷期号:17 (8): 4465-4471
被引量:1
摘要
The layered wide bandgap semiconductor gallium thiophosphate can be applied as a gate dielectric to achieve high-performance Van der Waals field-effect transistors.
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