光电子学
光电二极管
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砷化镓
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电气工程
工程类
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医学
二极管
病理
替代医学
作者
Masami Naitoh,Shiro Sakai,M. Umeno
出处
期刊：Electronics Letters
[Institution of Engineering and Technology]
日期：1982-07-22
卷期号：18 (15): 656-657
被引量：5
摘要
The letter describes the first successful InGaAsP/InP transistor with an n-InP emitter, a p-In0.73Ga0.27As0.63P0.37 base and an Au Schottky collector. The device exhibited an optical gain in excess of 100 and an optical switching characteristic. The fabrication procedure is presented in the letter.
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