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A 25-nm MOSFET with an Electrically Induced Source/Drain

MOSFET 材料科学 光电子学 排水诱导屏障降低 工程物理 电气工程 场效应晶体管 电压 晶体管 物理 工程类
作者
Chang Sungil,Han Sangyeon,Shin Hyungcheol,Jong‐Ho Lee
出处
期刊：Journal of the Korean Physical Society [Springer Science+Business Media]
日期：2000-12-01 卷期号：37 (6): 902-902
标识
DOI：10.3938/jkps.37.902
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