图像传感器
动态范围
电容器
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航空航天工程
作者
Shigetoshi Sugawa,Nana Akahane,Sadao Adachi,K. Mori,T. Ishiuchi,Koichi Mizobuchi
出处
期刊:International Solid-State Circuits Conference
日期:2005-08-30
被引量:72
标识
DOI:10.1109/isscc.2005.1494014
摘要
The wide DR CMOS image sensor incorporates a lateral overflow capacitor in each pixel to integrate the overflow charges from the photodiode when it saturates. The 7.5/spl times/7.5 /spl mu/m/sup 2/ pixel, 1/3 VGA sensor fabricated in a 0.35 /spl mu/m 3M2P CMOS process achieves a 100 dB dynamic range with no image lag, 0.15 mV/sub rms/ random noise and 0.15 mV fixed pattern noise.
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