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作者
Hyun Kyu Seo,Jae‐Seung Jeong,Jaeho Jung,Gun Hwan Kim,Min Yang
出处
期刊：Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期：2025-01-01
卷期号：17 (17): 10946-10956
被引量：2
摘要
A TiN/SiO x /TiN memristor with an engineered oxygen reservoir layer exhibits linear and repeatable synaptic dynamics, achieving 92.21% MNIST recognition accuracy with improved stability, endurance, and gradual switching behavior.
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