Gate-Tunable Multiband van der Waals Photodetector and Polarization Sensor

光电探测器 光电子学 材料科学 光电流 红外线的 极化(电化学) 光学 电场 范德瓦尔斯力 物理 分子 量子力学 物理化学 化学
作者
Daozhi Shen,HeeBong Yang,Tarun Patel,Daniel Rhodes,T. Timusk,Y. Zhou,Na Young Kim,Adam W. Tsen
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:18 (17): 11193-11199 被引量:7
标识
DOI:10.1021/acsnano.4c00181
摘要

A single photodetector with tunable detection wavelengths and polarization sensitivity can potentially be harnessed for diverse optical applications ranging from imaging and sensing to telecommunications. Such a device will require the combination of multiple material systems with different structures, band gaps, and photoelectrical responses, which is extremely difficult to engineer using traditional epitaxial films. Here, we develop a multifunctional and high-performance photosensor using all van der Waals materials. The device features a gate-tunable spectral response that is switchable between near-infrared/visible and short-/midwave infrared, as well as broad-band operation, at room temperature. The linear polarization sensitivity in the telecommunication O-band can also be directly modulated between horizontal, vertical, and nonpolarizing modes. These effects originate from the balance of photocurrent generation in two of the active layers that can be manipulated by an electric field. The photodetector features high detectivity (>109 cmHz1/2W–1) together with fast operation speed (∼1 MHz) and can be further exploited for dual visible and infrared imaging.
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