Colloidal Synthesis Path to 2D Crystalline Quantum Dot Superlattices

量子点 超晶格 材料科学 光致发光 纳米晶 外延 半导体 纳米技术 光电子学 化学物理 化学 图层(电子)
作者
Justin C. Ondry,John P. Philbin,Michael Lostica,Eran Rabani,A. Paul Alivisatos
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:15 (2): 2251-2262 被引量:51
标识
DOI:10.1021/acsnano.0c07202
摘要

By combining colloidal nanocrystal synthesis, self-assembly, and solution phase epitaxial growth techniques, we developed a general method for preparing single dot thick atomically attached quantum dot (QD) superlattices with high-quality translational and crystallographic orientational order along with state-of-the-art uniformity in the attachment thickness. The procedure begins with colloidal synthesis of hexagonal prism shaped core/shell QDs (e.g., CdSe/CdS), followed by liquid subphase self-assembly and immobilization of superlattices on a substrate. Solution phase epitaxial growth of additional semiconductor material fills in the voids between the particles, resulting in a QD-in-matrix structure. The photoluminescence emission spectra of the QD-in-matrix structure retains characteristic 0D electronic confinement. Importantly, annealing of the resulting structures removes inhomogeneities in the QD–QD inorganic bridges, which our atomistic electronic structure calculations demonstrate would otherwise lead to Anderson-type localization. The piecewise nature of this procedure allows one to independently tune the size and material of the QD core, shell, QD–QD distance, and the matrix material. These four choices can be tuned to control many properties (degree of quantum confinement, quantum coupling, band alignments, etc.) depending on the specific applications. Finally, cation exchange reactions can be performed on the final QD-in-matrix, as demonstrated herein with a CdSe/CdS to HgSe/HgS conversion.
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