Energy Level Alignment of Molybdenum Oxide on Colloidal Lead Sulfide (PbS) Thin Films for Optoelectronic Devices

材料科学 硫化铅 光电子学 量子点 氧化物 硫化物 薄膜 开路电压 纳米技术 电压 量子力学 物理 冶金
作者
Diogenes Placencia,Paul Lee,Joseph G. Tischler,Erin L. Ratcliff
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:10 (30): 24981-24986 被引量:3
标识
DOI:10.1021/acsami.8b07651
摘要

Interfacial charge transport in optoelectronic devices is dependent on energetic alignment that occurs via a number of physical and chemical mechanisms. Herein, we directly connect device performance with measured thickness-dependent energy-level offsets and interfacial chemistry of 1,2-ethanedithiol-treated lead sulfide (PbS) quantum dots and molybdenum oxide. We show that interfacial energetic alignment results from partial charge transfer, quantified via the chemical ratios of Mo5+ relative to Mo6+. The combined effect mitigates leakage current in both the dark and the light, relative to a metal contact, with an overall improvement in open circuit voltage, fill factor, and short circuit current.

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