Technology Trends and Characteristics of Patent Information Disclosure in Advanced Semiconductor Photoresist

光刻胶 小型化 抵抗 平版印刷术 半导体工业 半导体 半导体器件制造 纳米技术 制造工程 材料科学 工程类 光电子学 薄脆饼 图层(电子)
作者
Kosuke Watahiki,Yoshihiro Midoh,Kazuya Okamoto
标识
DOI:10.1109/issm55802.2022.10027038
摘要

This paper focuses on advanced semiconductor photoresists and analyzes the patent data from the following four perspectives: relationship between semiconductor trends and resists; profit gains of the photoresist industry; advanced extreme ultraviolet lithography trends and sustainable development goals (SDGs); and patent quality and filing trends for photoresists. As a result, we obtain the trend of semiconductor photoresists accurately reflecting miniaturization and its relation to SDGs. In addition, a guideline for patent quality and information disclosure characteristics is obtained. Photoresist is a crucial component of the semiconductor industry in miniaturization, and patents are an effective application tool for the trend investigation.
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