Highly‐Tunable Intrinsic Room‐Temperature Ferromagnetism in 2D van der Waals Semiconductor CrxGa1−xTe

材料科学 居里温度 铁磁性 凝聚态物理 磁性半导体 自旋电子学 范德瓦尔斯力 半导体 异质结 磁化 带隙 磁性 光电子学 化学 物理 量子力学 有机化学 分子
作者
Gaojie Zhang,Hao Wu,Liang Zhang,Shanfei Zhang,Li Yang,Pengfei Gao,Xiaokun Wen,Jin Wen,Fei Guo,Yong Xie,Hongda Li,Bailong Tao,Wenfeng Zhang,Haixin Chang
出处
期刊:Advanced Science [Wiley]
卷期号:9 (1) 被引量:14
标识
DOI:10.1002/advs.202103173
摘要

The combination of semiconductivity and tunable ferromagnetism is pivotal for electrical control of ferromagnetism and next-generation low-power spintronic devices. However, Curie temperatures (TC ) for most traditional intrinsic ferromagnetic semiconductors (≤200 K) and recently discovered two-dimensional (2D) ones (<70 K) are far below room temperature. 2D van der Waals (vdW) semiconductors with intrinsic room-temperature ferromagnetism remain elusive considering the unfavored 2D long-range ferromagnetic order indicated by Mermin-Wagner theorem. Here, vdW semiconductor Crx Ga1-x Te crystals exhibiting highly tunable above-room-temperature ferromagnetism with bandgap 1.62-1.66 eV are reported. The saturation magnetic moment (Msat ) of Crx Ga1-x Te crystals can be effectively regulated up to ≈5.4 times by tuning Cr content and ≈75.9 times by changing the thickness. vdW Crx Ga1-x Te ultrathin semiconductor crystals show robust room-temperature ferromagnetism with the 2D quantum confinement effect, enabling TC 314.9-329 K for nanosheets, record-high for intrinsic vdW 2D ferromagnetic semiconductors. This work opens an avenue to room-temperature 2D vdW ferromagnetic semiconductor for 2D electronic and spintronic devices.
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