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超帅秋翠
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2022-11-26 加入
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Enhancement of Etch Rate by the Addition of O2 and Ar in Chemical Dry Etching of Si Using a Discharge Flow of Ar/CF4 and CF4/O2 Gas Mixtures
5小时前
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Enhancement of Etch Rate by the Addition of O2 and Ar in Chemical Dry Etching of Si Using a Discharge Flow of Ar/CF4 and CF4/O2 Gas Mixtures
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