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皮一手
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Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga2O3 and p+-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding
1小时前
待确认
Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties
2小时前
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速度真快，点赞，感谢
2小时前
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Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga2O3 and p+-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding
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