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沐沐
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Breaking the Trade-off between On-Resistance and Short-Circuit Withstand Time in 1.2 kV - 500 A SiC MOSFETs Using a Narrow Fin Channel
52分钟前
待确认
Spectral response narrowing and performance modulation of GaN UV photodetectors via He ion irradiation defect Engineering
5个月前
已完结
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太感谢啦
5个月前
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Breaking the Trade-off between On-Resistance and Short-Circuit Withstand Time in 1.2 kV - 500 A SiC MOSFETs Using a Narrow Fin Channel
Spectral response narrowing and performance modulation of GaN UV photodetectors via He ion irradiation defect Engineering
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