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MasaWang

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Implementation of sub-100 nm vertical channel-all-around (CAA) thin-film transistor using thermal atomic layer deposited IGZO channel 10小时前 待确认
高稳定性 In₂O₃/InGaZnO 双层沟道薄膜晶体管 10小时前 已完结
Mobility and Threshold Voltage Co‐Optimization of IGZO Field‐Effect Transistor with Ideal Subthreshold Swing through Atomic Layer Growth Control 12小时前 已完结

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