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 Improving the Ferroelectric Properties of Nd:HfO$_{\text{2}}$ Thin Films by Stacking Hf$_{\text{0.5}}$Zr$_{\text{0.5}}$O$_{\text{2}}$ Interlayers 通过堆叠Hf$_{\text{0.5}}$Zr$_{\text{0.5}}$O$_{\text{2}}$夹层改善Nd：HfO$_{\text{2}}$薄膜的铁电性能
相关领域
堆积
材料科学
铁电性
薄膜
结晶学
光电子学
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物理
化学
核磁共振
电介质
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期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Yingrui Xiao; Yong Jiang; Lisha Yang; Nancy Ma; Gang Li; et al 出版日期：2024-01-01 |
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