Simulation of SiO2 etching in an inductively coupled CF4 plasma

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标题	Simulation of SiO2 etching in an inductively coupled CF4 plasma 电感耦合CF4等离子体中SiO2刻蚀的模拟相关领域蚀刻（微加工）感应耦合等离子体材料科学等离子体等离子体刻蚀反应离子刻蚀计算流体力学燃烧室压力等离子体处理分析化学（期刊）半导体器件制造光电子学纳米技术机械冶金化学图层（电子）物理核物理学薄脆饼色谱法
网址	https://doi.org/10.1142/s0217984917500427
DOI	10.1142/s0217984917500427 doi
其它	期刊：Modern Physics Letters B 作者：Qing Xu; Yuxing Li; Xiaoning Li; Jia-Bin Wang; Fan Yang; et al 出版日期：2017-02-28
求助人	妩媚的紫菜在 2024-04-13 21:17:26 发布自辽宁，悬赏 30 积分
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