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 Role of ITO electrode in the resistive switching behavior of TiN/HfO2/ITO memory devices at different annealing temperatures 不同退火温度下ITO电极在TiN/HfO2/ITO存储器件电阻开关行为中的作用
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Cong Ye; Tengfei Deng; Jiaji Wu; Chao Zhan; Hao Wang; et al 出版日期：2015-04-07 |
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