Ionization effect and displacement effect induced photoresponsivity degradation on α-In2Se3 based transistors for photodetectors

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标题	Ionization effect and displacement effect induced photoresponsivity degradation on α-In2Se3 based transistors for photodetectors 相关领域光电探测器光电子学电离降级（电信）流离失所（心理学）材料科学辐照化学物理离子计算机科学心理学电信有机化学核物理学心理治疗师
网址	https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.108969
DOI	10.1016/j.radphyschem.2020.108969 doi
其它	期刊：Radiation Physics and Chemistry 作者：Pengfei Hou; Chenlu Wang; Yun Chen; Qing Zhong; Yuke Zhang; et al 出版日期：2020-05-19
求助人	传奇3 在 2025-10-31 12:47:30 发布自甘肃，悬赏 10 积分
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