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Relationship Between Electrode Material, Valence Band Offset, and Nonlinearity in the Resistive Switching Behavior of Au/HfO2/M (M = TiN, W, Pt, or AlCu) Metal–Insulator–Metal Devices: Correlation Between Experimental and DFT Calculations 相关领域
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期刊:Journal of Electronic Materials 作者:O. Khaldi; M. Zemzemi; Hanen Ferhi; Fethi Jomni 出版日期:2024-06-15 |
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