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 High Performance (Vth ~ 0 V, SS ~ 69 mV/dec, IOn/IOff ~ 1010) Thin-Film Transistors Using Ultrathin Indium Oxide Channel and SiO2 Passivation 采用超薄氧化铟沟道和SiO2钝化的高性能（Vth~0 V，SS~69 mV/dec，IOn/IOff~1010）薄膜晶体管
相关领域
物理
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Dong-Qi Xiao; Bin-Bin Luo; Chun-Ming Huang; Wen Xiong; Xiaohan Wu; Shi-Jin Ding 出版日期：2022-05-14 |
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