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标题
Degradation Mechanism of Normally-On AlGaN/GaN HEMTs Under Short-and Long-Term HTRB Stress
常开AlGaN/GaN HEMT在短期和长期HTRB应力下的退化机制
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网址
DOI
10.1109/ted.2024.3427613 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Yiqiang Chen; Meng Lu; Chang Liu; Min Liao
出版日期:2024-01-01
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chaohuix 在 2025-12-05 16:13:16 发布自辽宁,悬赏 10 积分
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