Performance of neutron-irradiated 4H-silicon carbide diodes subjected to alpha radiation

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标题	Performance of neutron-irradiated 4H-silicon carbide diodes subjected to alpha radiation 中子辐照4H-碳化硅二极管在α辐射下的性能相关领域碳化硅材料科学辐照辐射硬化二极管中子通量通量饱和电流光电子学 α粒子背景（考古学）硅辐射损伤辐射中子电压光学物理原子物理学核物理学复合材料古生物学生物量子力学
网址	https://doi.org/10.1088/1748-0221/18/01/c01042
DOI	10.1088/1748-0221/18/01/c01042 doi
其它	期刊：Journal of Instrumentation 作者：Philipp Gaggl; Andreas Gsponer; R. Thalmeier; Simon Emanuel Waid; G. Pellegrini; et al 出版日期：2023-01-01
求助人	1111111 在 2025-12-06 14:20:15 发布自陕西，悬赏 10 积分
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