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Enhancement of 2DEG effective mass in AlN/Al0.78Ga0.22N high electron mobility transistor structure determined by THz optical Hall effect THz光学霍尔效应测定AlN/Al0.78Ga0.22N高电子迁移率晶体管结构中2DEG有效质量的增强
相关领域
有效质量(弹簧-质量系统)
电子迁移率
电子
太赫兹辐射
电子密度
费米气体
凝聚态物理
霍尔效应
晶体管
材料科学
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物理
光电子学
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量子力学
电压
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Philipp Kühne; Nerijus Armakavicius; Alexis Papamichail; Dat Q. Tran; V. Stanishev; et al 出版日期:2022-06-20 |
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