| 标题 |
High-field electron transport and current saturation mechanism of open region channel in submicron split-gate AlGaN/GaN HFETs 亚微米分栅AlGaN/GaN高场效应晶体管开区沟道的高场电子输运和电流饱和机制
相关领域
光电子学
饱和电流
饱和(图论)
材料科学
电子
电子传输链
频道(广播)
氮化镓
电流(流体)
凝聚态物理
纳米技术
电气工程
物理
化学
电压
工程类
图层(电子)
组合数学
量子力学
生物化学
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Physics D Applied Physics 作者:Heng Zhou; Tuofu Zhama; Mingyan Wang; Zhaojun Lin; Yuping Zeng; et al 出版日期:2025-01-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|