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 2D boron dichalcogenides from the substitution of Mo with ionic B2 pair in MoX2 (X = S, Se and Te): high stability, large excitonic effect and high charge carrier mobility MoX2（X=S，Se和Te）中Mo与离子B2对取代的2D硼二硫族化物：高稳定性、大激子效应和高载流子迁移率
相关领域
材料科学
替代（逻辑）
硼
离子键合
结晶学
高能
离子
工程物理
核物理学
物理
计算机科学
量子力学
化学
程序设计语言
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| 其它 |
期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Cheng Tang; Fengxian Ma; Chunmei Zhang; Yalong Jiao; Sri Kasi Matta; et al 出版日期：2019-01-01 |
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