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 A 290-mV, 3.34-MHz, 6T SRAM With pMOS Access Transistors and Boosted Wordline in 65-nm CMOS Technology 采用65nm CMOS工艺的290 mV、3.34 MHz、6T SRAM，采用pMOS存取晶体管和升压字线
相关领域
PMOS逻辑
NMOS逻辑
晶体管
静态随机存取存储器
CMOS芯片
访问时间
电气工程
材料科学
光电子学
计算机科学
电子工程
电压
工程类
计算机硬件
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| 其它 |
期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者：Morteza Nabavi; Manoj Sachdev 出版日期：2017-09-18 |
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