Graphene-based field-effect transistor using gated highest-k ferroelectric thin film

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标题	Graphene-based field-effect transistor using gated highest-k ferroelectric thin film 使用门控最高k铁电薄膜的石墨烯基场效应晶体管相关领域铁电性材料科学石墨烯场效应晶体管拉曼光谱晶体管电子迁移率光电子学图层（电子）纳米技术分析化学（期刊）电介质光学化学电气工程物理工程类色谱法电压
网址	https://doi.org/10.1016/j.ssc.2023.115258
DOI	10.1016/j.ssc.2023.115258 doi
其它	期刊：Solid State Communications 作者：Injamul Alam; Subhasri Subudhi; Sonali Das; Manoranjan Mandal; Santosini Patra; et al 出版日期：2023-06-19
求助人	火星上的若颜在 2025-04-29 11:14:58 发布自山东，悬赏 10 积分
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