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 Remarkable Stability Improvement with a High‐Performance PEALD‐IZO/IGZO Top‐Gate Thin‐Film Transistor via Modulating Dual‐Channel Effects 通过调制双沟道效应，高性能PEALD-IZO/IGZO顶栅薄膜晶体管的稳定性显著提高
相关领域
材料科学
光电子学
薄膜晶体管
原子层沉积
阈值电压
可靠性（半导体）
晶体管
图层（电子）
电子迁移率
堆积
纳米技术
电压
电气工程
物理
工程类
功率（物理）
量子力学
核磁共振
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期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Yoon‐Seo Kim; Won‐Bum Lee; Hye‐Jin Oh; TaeHyun Hong; Jin‐Seong Park 出版日期：2022-04-29 |
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