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 Research on nano-scale AlN nucleation layer growth and GaN HEMT characteristics based on MOCVD technology 基于MOCVD技术的纳米AlN成核层生长及GaN HEMT特性研究
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Dongguo Zhang; Zhonghui Li; Hao Guo; Daqing Peng; Qiankun Yang; et al 出版日期：2023-05-01 |
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