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 Double modulation of the electric field in InGaAs/Si APD by groove rings for the achievement of THz gain-bandwidth product 槽环对InGaAs/Si APD中电场的双重调制实现THz增益带宽积
相关领域
太赫兹辐射
电场
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物理
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声学
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期刊：Physica Scripta 作者：Zhiyong Shi; Shaoying Ke; Wenhao Meng; Z Wang; Hui Guo; et al 出版日期：2024-09-09 |
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