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标题
Post-Treatment of Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors with H2O Vapor: Alleviation of Remote Channel Doping
相关领域
材料科学 单层 原子层沉积 钝化 电介质 栅极电介质 兴奋剂 光电子学 化学气相沉积 阈值电压 纳米技术 场效应晶体管 晶体管 图层（电子） 电压 电气工程 工程类
网址
https://doi.org/10.1038/s41563-025-02357-w
DOI
10.1038/s41563-025-02357-w doi
提醒：求助人提供的doi与AI识别不一致 10.1021/acsami.4c17249 Doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Hee-Soo Lee; Byeongchan Kim; Moongyu Jang; Seongdae Kwon; D. H. LEE; et al
出版日期：2025-01-07
求助人
588 在 2025-10-18 18:14:32 发布自浙江，悬赏 10 积分
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