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 A 22-nm 109.3-to-249.5-TFLOPS/W Outlier-Aware Floating-Point SRAM Compute-in-Memory Macro for Large Language Models 相关领域
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期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者：Siqi He; Haozhe Zhu; Hongyi Zhang; Yujie Ma; Zexing Chen; et al 出版日期：2025-01-01 |
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